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          FIB聚焦離子束投影曝光技術的優點

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          FIB聚焦離子束投影曝光技術的優點

          發布日期:2016-07-27 作者: 點擊:

          FIB聚焦離子束投影曝光技術的優點

          聚焦離子束投影曝光除了前面已經提到的曝光靈敏度極高和沒有鄰近效應之外還包括焦深大于曝光深度可以控制。離子源發射的離子束具有非常好的平行性,離子束投影透鏡的數值孔徑只有0.001,其焦深可達100μm,也就是說,硅片表面任何起伏在100μm之內,離子束的分辨力基本不變。而光學曝光的焦深只有1~2μm為,圖5顯示了聚焦離子束投影曝光獲得的線條圖形。線條跨越硅片表面的起伏結構時其線寬沒有任何變化。聚焦離子束投影曝光的另一個優點是通過控制離子能量可以控制離子的穿透深度,從而控制抗蝕劑的曝光深度。

          聚焦的離子束在半導體行業有著重要作用,可用來切割納米級結構,對光刻技術中的屏蔽板進行修補,制作透射電鏡樣品,分離和分析集成電路的各個元件,激活由特殊原子組成的材料,使其具有導電性等等。我國的科研單位及高等院校在聚焦離子束曝光技術及其應用方面也作了大量的研究工作并取得了可喜的成績。我們相信,隨著我國微電子工業的發展,聚焦離子束曝光技術及其應用技術也必將被提高到新的水平。柯岷國際貿易(上海)有限公司

          FIB聚焦離子束





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